由 Wolfgang 
LDO（低压差线性稳压器）是电路设计中不可或缺的元件，其成本低廉却至关重要。
虽然数据手册提供了基本参数，但要充分发挥LDO的优势，工程师需要深入理解其关键性能参数。
LDO主要架构分为PMOS和NMOS两种，其核心组成部分包括参考电压源、反馈网络、误差放大器和控制元件（通常是MOSFET）。
理解LDO的关键在于掌握其性能参数：
- 压差：输入输出电压差，越低越好，现代LDO通常在30mV～500mV之间。
- 裕量电压：LDO正常工作所需的输入输出电压差，通常大于压差。
- 静态电流（Iq）：LDO空载或轻载下的电流消耗，越小越好，关乎电池寿命。
- 接地电流（IGND）：输入电流与输出电流之差，包含静态电流，越小效率越高。
- 关断电流：LDO关闭状态下的电流消耗。
- 效率：由接地电流和输入/输出电压差决定，越接近100%越好。
- 噪声：LDO产生的噪声，越低越好，需要低噪声LDO和降噪措施。
- 电源抑制比(PSRR)：抑制电源噪声的能力，越高越好，受多种因素影响。
- 线性调整率：输入电压变化导致的输出电压变化。
- 负载调整率：负载变化导致的输出电压变化。
- 瞬态响应：LDO对负载和线路变化的响应速度，越快越好。
选择LDO时，应综合考虑以上参数，并根据系统需求选择合适的厂商和型号。
主流厂商包括TI、ADI、ST、ONsemi、Infineon、Microchip、Diodes、Renasas以及越来越多的国产厂商，
如纳芯微、思瑞浦等。 选择高性能LDO的三大标准是：PSRR、输出噪声及瞬态响应，以及温度漂移。
